إنتل تبدأ تصنيع شرائح الذاكرة بتقنية 25 نانومتر

أعلنت إنتل بالتعاون مع شركة مايكرون عن أول شريحة ذاكرة من النوع NAND تعتمد على تقنية التصنيع 25 نانومتر، وتوفر سعة وسرعة أكبر للتخزين في الأجهزة الجوالة والأقراص الصلبة المصمتة.

السمات: Intel CorporationInteltec Corporation
  • E-Mail
إنتل تبدأ تصنيع شرائح الذاكرة بتقنية 25 نانومتر
 Mothanna Almobarak بقلم  February 2, 2010 منشورة في 

أعلنت إنتل بالتعاون مع شركة مايكرون عن أول شريحة ذاكرة من النوع NAND تعتمد على تقنية التصنيع 25 نانومتر، وتوفر سعة وسرعة أكبر للتخزين في الأجهزة الجوالة والأقراص الصلبة المصمتة.

وذاكرات NAND هي إحدى الأنواع التي توفر تخزينا دائما للملفات، والتقنية الجديدة تتيح الحصول على ذاكرات تخزين ذات كثافة أكبر في التخزين وسرعة أكبر في تبادل البيانات، وهو ما تتطلبه الأجهزة الحالية مثل الهواتف الذكية ومشغلات الفيديو الجوالة.

تتيح تقنية التصنيع الجديدة لإنتل ومايكرون تخزين 8 غيغابايت من البيانات في شريحة NAND واحدة لاتزيد مساحتها عن 167 ميليمترا مربعا، بمعنى أن الذاكرة الجديدة يمكن أن توضع في القرص الدائري الصغير الذي يتوسط الأقراص الليزرية، علما أنها تتسع لتخزين بيانات تلزم لتخزينها 10 أقراص ليزرية.

تعمل إنتل ومايكرون على مضاعفة سعات التخزين لذاكرات NAND كل 18 شهرا، مما يؤمن كثافة تخزين أكثر بمساحة أقل. وكانت الشركتين قد بدأتا تصنيع هذا النوع من الذاكرت بتقنية 50 نانومتر ومن ثم 34 نانومتر في 2008، واليوم توصلت إنتل مع مايكرون إلى أكبر سعة بأصغر حجم لشرائح الذاكرة NAND والفضل لتقنية التصنيع الجديدة 25 نانومتر.

ستدخل شرائح الذاكرة التي تعتمد على تقنية التصنيع الجديدة حيز الإنتاج النهائي في النصف الثاني من العام الحالي، وتقدم هذه الشرائح بالنسبة لمصنعي الأجهزة الإلكترونية أكبر كثافة تخزين بمعدل 2 بت في الخلية الواحدة ذات المستويات المتعددة.

تشكل هذه الشرائح الجديدة نقلة نوعية في التخزين بالنسبة لمصنعي  الأجهزة الجوالة، فالهاتف ذو السعة 32 غيغابايت لن يكون بحاجة إلى لأربعة شرائح، في حين تحتاج بطاقة الذاكرة ذات السعة 16 غيغابايت إلى شريحتين فقط.

يمكنك الآن الحصول على آخر الأخبار في صندوق الوارد لبريدك الالكتروني عبر الاشتراك المجاني الآن بـ نشرتنا الالكترونية.

إضافة تعليق

اسم المشترك، حقل إجباري

البريد الإلكتروني، حقل إجباري

Security code