"إنتل" تزيح الستار عن أكثر تقنيات صناعة الرقائق تطورا في العالم

كشفت شركة "إنتل" هذا الأسبوع عن عدة اختراقات تقنية دمجتها الشركة في عملياتها الجديدة التي تعتمد تقنية 90 نانومتر (90-nanometer nm)، وهي عملية تصنيع أشباه الموصلات الأكثر تطورا المطبقة في قطاع الرقائق حاليا. وقد استخدمت "إنتل" هذه العملية لتصنيع وحدات سيليكونية ورقائق ذاكرة قياسية لم يسبق لها مثيل. وستعمد "إنتل" إلى تطبيق هذه العملية على نطاق واسع خلال العام القادم لتصنيع أعداد كبيرة من هذه المنتجات باستخدام رقائق ذات 300مم.

  • E-Mail
"إنتل" تزيح الستار عن أكثر تقنيات صناعة الرقائق تطورا في العالم ()
 Nawras Sawsou بقلم  August 22, 2002 منشورة في 
COMPANY:
-

MAGAZINE:
-

AUTHOR:
-

COUNTRY:
-


كشفت شركة "إنتل" هذا الأسبوع عن عدة اختراقات تقنية دمجتها الشركة في عملياتها الجديدة التي تعتمد تقنية 90 نانومتر (90-nanometer nm)، وهي عملية تصنيع أشباه الموصلات الأكثر تطورا المطبقة في قطاع الرقائق حاليا. وقد استخدمت "إنتل" هذه العملية لتصنيع وحدات سيليكونية ورقائق ذاكرة قياسية لم يسبق لها مثيل. وستعمد "إنتل" إلى تطبيق هذه العملية على نطاق واسع خلال العام القادم لتصنيع أعداد كبيرة من هذه المنتجات باستخدام رقائق ذات 300مم.

تعتمد عملية الـ 90 نانومتر (النانوميتر يساوي 1/مليار من المتر) الجديدة هذه على الترانزيستورات ذات الطاقة الأقل والسيليكون المشدود والموصلات النحاسية عالية السرعة. وهذه هي المرة الأولى التي تُدمج فيها كل هذه التقنيات في عملية تصنيع واحدة.

تعمل "إنتل" منذ أكثر من عشر سنين على تطوير قطاع صناعة الرقائق بطرحها جيل جديد من عمليات التصنيع كل عامين. وتعتبر عملية التسعين نانوميتر بمثابة الجيل التالي بعد عملية 0،13 مايكرون التي تستخدمها "إنتل" حاليا لتصنيع الجزء الأكبر من أشباه الموصلات التي تنتجها الشركة.

الجدير بالذكر أن "إنتل" استخدمت في شهر فبراير عمليتها ذات التسعين نانومتر لتصنيع رقاقات SRAM الأعلى سعة في العالم بمعدل 52 ميغابت (قادرة على تخزين 52 مليون خانة فردية من المعلومات). وتحتوي هذه الرقائق على 330 مليون ترانزيستور مركب على مساحة لا تتجاوز الـ 109 مليمتر مربع – بحجم الأظفر تقريبا.

وتعتمد هذه الرقائق أيضا حجم خلية SRAM يعد رائدا في قطاع تصنيع الرقائق حيث يبلغ مايكرونا مربعا واحدا فقط. ويشكل ذلك اختراقا ثوريا لطالما حلم به مصممو ومصنعو السيليكون. ويذكر أن حجم كرة الدم الحمراء هو أكبر بمائة مرة من حجم هذه الخلية.

تسمح خلايا SRAM الصغيرة بدمج ذاكرات البيانات المخبئية الأكبر حجما في المعالجات مما يسهم في تعزيز أدائها. وقد تم تصنيع أشباه المُوصلات هذه في مختبر تقنيات 300 مم التابع لـ "إنتل" (المسمى D1C) في مدينة هلزبورو في ولاية أوريغون الأميركية حيث طورت هذه العملية.

يمكنك الآن الحصول على آخر الأخبار في صندوق الوارد لبريدك الالكتروني عبر الاشتراك المجاني الآن بـ نشرتنا الالكترونية.

إضافة تعليق

اسم المشترك، حقل إجباري

البريد الإلكتروني، حقل إجباري

Security code